 | • レポートコード：MRC24BR-AG60136 • 出版社/出版日：QYResearch / 2024年6月 • レポート形態：英語、PDF、約100ページ • 納品方法：Eメール（納期：3日） • 産業分類：電子＆半導体 |
| Single User | ￥420,500 (USD2,900) | ▷ お問い合わせ |
| Multi User | ￥630,750 (USD4,350) | ▷ お問い合わせ |
| Enterprise License | ￥841,000 (USD5,800) | ▷ お問い合わせ |
• お支払方法：銀行振込（納品後、ご請求書送付）
レポート概要
世界のGaN-On-SiCデバイス市場は2023年にxxxxx米ドルと算出され、2024年から2030年の予測期間中にxxxxx％のCAGR（年平均成長率）を記録し、2030年にはxxxxx米ドルに達すると予測されています。
北米のGaN-On-SiCデバイス市場は2024年から2030年の予測期間中にxxxxx％のCAGRで2023年のxxxxx米ドルから2030年にはxxxxx米ドルに達すると推定されます。
GaN-On-SiCデバイスのアジア太平洋市場は2024年から2030年の予測期間中にxxxxx％のCAGRで2023年のxxxxx米ドルから2030年までにxxxxx米ドルに達すると推定されます。
GaN-On-SiCデバイスの主なグローバルメーカーには、SEDI、MACOM、Qorvro、Skyworks、NXP、Fujitsu、Toshiba、Mitsubishi Electric、Innoscience、Hebei Tongguang Semiconductor、Tianke Heda、Shandong Tianyueなどがあります。2023年には世界のトップ3メーカーが売上の約xxxxx％を占めています。
当レポートは、GaN-On-SiCデバイスの世界市場を量的・質的分析の両面から包括的に紹介することで、お客様のビジネス/成長戦略の策定、市場競争状況の把握、現在の市場における自社のポジションの分析、GaN-On-SiCデバイスに関する十分な情報に基づいたビジネス上の意思決定の一助となることを目的としています。
販売量と売上をベースに2023年を基準年とし2019年から2030年までの期間のGaN-On-SiCデバイスの市場規模、推計、予想データを収録しています。本レポートでは、世界のGaN-On-SiCデバイス市場を包括的に区分しています。タイプ別、用途別、プレイヤー別の製品に関する地域別市場規模も掲載しています。
市場のより詳細な理解のために、競合状況、主要競合企業のプロフィール、それぞれの市場ランクを掲載しています。また、技術動向や新製品開発についても論じています。
当レポートは、本市場におけるGaN-On-SiCデバイスメーカー、新規参入企業、産業チェーン関連企業に対し、市場全体および企業別、タイプ別、用途別、地域別のサブセグメントにおける売上、販売量、平均価格に関する情報を提供します。
*** 市場セグメント ***
・世界のGaN-On-SiCデバイス市場：タイプ別
光電式、高周波式、動力式
・世界のGaN-On-SiCデバイス市場：用途別
5G通信、自動車、工業、その他
・世界のGaN-On-SiCデバイス市場：掲載企業
SEDI、MACOM、Qorvro、Skyworks、NXP、Fujitsu、Toshiba、Mitsubishi Electric、Innoscience、Hebei Tongguang Semiconductor、Tianke Heda、Shandong Tianyue
*** 各章の概要 ***
第1章：報告書のスコープ、市場セグメント別（地域別、製品タイプ別、用途別など）のエグゼクティブサマリー、各市場セグメントの市場規模、今後の発展可能性などを紹介。市場の現状と、短期・中期・長期的にどのような進化を遂げる可能性があるのかについてハイレベルな見解を提供。
第2章：GaN-On-SiCデバイスメーカーの競争環境、価格、売上、市場シェアなどの詳細分析。
第3章：地域レベル、国レベルでのGaN-On-SiCデバイスの販売と収益分析。各地域と主要国の市場規模と発展可能性を定量的に分析し、世界各国の市場発展、今後の発展展望、マーケットスペース、市場規模などを収録。
第4章：様々な市場セグメントをタイプ別に分析し、各市場セグメントの市場規模と発展可能性を網羅し、お客様が様々な市場セグメントにおけるブルーオーシャン市場を見つけるのに役立つ。
第5章：お客様が異なる川下市場におけるブルーオーシャン市場を見つけるのを助けるために各市場セグメントの市場規模と発展の可能性をカバー、アプリケーション別に様々な市場セグメントの分析を提供。
第6章：主要企業のプロフィールを提供し、製品の販売量、売上高、価格、粗利益率、製品紹介など、市場の主要企業の基本的な状況を詳しく紹介。
第7章：産業の上流と下流を含む産業チェーンを分析。
第8章：市場力学、市場の最新動向、市場の推進要因と制限要因、業界のメーカーが直面する課題とリスク、業界の関連政策の分析を掲載。
第9章：レポートの要点と結論。
１．GaN-On-SiCデバイスの市場概要
製品の定義
GaN-On-SiCデバイス：タイプ別
世界のGaN-On-SiCデバイスのタイプ別市場価値比較（2024-2030）
※光電式、高周波式、動力式
GaN-On-SiCデバイス：用途別
世界のGaN-On-SiCデバイスの用途別市場価値比較（2024-2030）
※5G通信、自動車、工業、その他
世界のGaN-On-SiCデバイス市場規模の推定と予測
世界のGaN-On-SiCデバイスの売上：2019-2030
世界のGaN-On-SiCデバイスの販売量：2019-2030
世界のGaN-On-SiCデバイス市場の平均価格（2019-2030）
前提条件と限界
２．GaN-On-SiCデバイス市場のメーカー別競争
世界のGaN-On-SiCデバイス市場：販売量のメーカー別市場シェア（2019-2024）
世界のGaN-On-SiCデバイス市場：売上のメーカー別市場シェア（2019-2024）
世界のGaN-On-SiCデバイスのメーカー別平均価格（2019-2024）
GaN-On-SiCデバイスの世界主要プレイヤー、業界ランキング、2022 VS 2023 VS 2024
世界のGaN-On-SiCデバイス市場の競争状況と動向
世界のGaN-On-SiCデバイス市場集中率
世界のGaN-On-SiCデバイス上位3社と5社の売上シェア
世界のGaN-On-SiCデバイス市場：企業タイプ別シェア（ティア1、ティア2、ティア3）
３．GaN-On-SiCデバイス市場の地域別シナリオ
地域別GaN-On-SiCデバイスの市場規模：2019年VS2023年VS2030年
地域別GaN-On-SiCデバイスの販売量：2019-2030
地域別GaN-On-SiCデバイスの販売量：2019-2024
地域別GaN-On-SiCデバイスの販売量：2025-2030
地域別GaN-On-SiCデバイスの売上：2019-2030
地域別GaN-On-SiCデバイスの売上：2019-2024
地域別GaN-On-SiCデバイスの売上：2025-2030
北米の国別GaN-On-SiCデバイス市場概況
北米の国別GaN-On-SiCデバイス市場規模：2019年VS2023年VS2030年
北米の国別GaN-On-SiCデバイス販売量（2019-2030）
北米の国別GaN-On-SiCデバイス売上（2019-2030）
米国
カナダ
欧州の国別GaN-On-SiCデバイス市場概況
欧州の国別GaN-On-SiCデバイス市場規模：2019年VS2023年VS2030年
欧州の国別GaN-On-SiCデバイス販売量（2019-2030）
欧州の国別GaN-On-SiCデバイス売上（2019-2030）
ドイツ
フランス
イギリス
ロシア
イタリア
アジア太平洋の国別GaN-On-SiCデバイス市場概況
アジア太平洋の国別GaN-On-SiCデバイス市場規模：2019年VS2023年VS2030年
アジア太平洋の国別GaN-On-SiCデバイス販売量（2019-2030）
アジア太平洋の国別GaN-On-SiCデバイス売上（2019-2030）
中国
日本
韓国
インド
東南アジア
中南米の国別GaN-On-SiCデバイス市場概況
中南米の国別GaN-On-SiCデバイス市場規模：2019年VS2023年VS2030年
中南米の国別GaN-On-SiCデバイス販売量（2019-2030）
中南米の国別GaN-On-SiCデバイス売上
ブラジル
メキシコ
中東・アフリカの国別GaN-On-SiCデバイス市場概況
中東・アフリカの地域別GaN-On-SiCデバイス市場規模：2019年VS2023年VS2030年
中東・アフリカの地域別GaN-On-SiCデバイス販売量（2019-2030）
中東・アフリカの地域別GaN-On-SiCデバイス売上
中東
アフリカ
４．タイプ別セグメント
世界のタイプ別GaN-On-SiCデバイス販売量（2019-2030）
世界のタイプ別GaN-On-SiCデバイス販売量（2019-2024）
世界のタイプ別GaN-On-SiCデバイス販売量（2025-2030）
世界のGaN-On-SiCデバイス販売量のタイプ別市場シェア（2019-2030）
世界のタイプ別GaN-On-SiCデバイスの売上（2019-2030）
世界のタイプ別GaN-On-SiCデバイス売上（2019-2024）
世界のタイプ別GaN-On-SiCデバイス売上（2025-2030）
世界のGaN-On-SiCデバイス売上のタイプ別市場シェア（2019-2030）
世界のGaN-On-SiCデバイスのタイプ別価格（2019-2030）
５．用途別セグメント
世界の用途別GaN-On-SiCデバイス販売量（2019-2030）
世界の用途別GaN-On-SiCデバイス販売量（2019-2024）
世界の用途別GaN-On-SiCデバイス販売量（2025-2030）
世界のGaN-On-SiCデバイス販売量の用途別市場シェア（2019-2030）
世界の用途別GaN-On-SiCデバイス売上（2019-2030）
世界の用途別GaN-On-SiCデバイスの売上（2019-2024）
世界の用途別GaN-On-SiCデバイスの売上（2025-2030）
世界のGaN-On-SiCデバイス売上の用途別市場シェア（2019-2030）
世界のGaN-On-SiCデバイスの用途別価格（2019-2030）
６．主要企業のプロファイル
※掲載企業：SEDI、MACOM、Qorvro、Skyworks、NXP、Fujitsu、Toshiba、Mitsubishi Electric、Innoscience、Hebei Tongguang Semiconductor、Tianke Heda、Shandong Tianyue
Company A
Company Aの企業情報
Company Aの概要と事業概要
Company AのGaN-On-SiCデバイスの販売量、売上、売上総利益率（2019-2024）
Company Aの製品ポートフォリオ
Company B
Company Bの会社情報
Company Bの概要と事業概要
Company BのGaN-On-SiCデバイスの販売量、売上、売上総利益率（2019-2024）
Company Bの製品ポートフォリオ
…
…
７．産業チェーンと販売チャネルの分析
GaN-On-SiCデバイスの産業チェーン分析
GaN-On-SiCデバイスの主要原材料
GaN-On-SiCデバイスの生産方式とプロセス
GaN-On-SiCデバイスの販売とマーケティング
GaN-On-SiCデバイスの販売チャネル
GaN-On-SiCデバイスの販売業者
GaN-On-SiCデバイスの需要先
８．GaN-On-SiCデバイスの市場動向
GaN-On-SiCデバイスの産業動向
GaN-On-SiCデバイス市場の促進要因
GaN-On-SiCデバイス市場の課題
GaN-On-SiCデバイス市場の抑制要因
９．調査結果と結論
１０．方法論とデータソース
方法論／調査アプローチ
調査プログラム／設計
市場規模の推定方法
市場分解とデータ三角法
データソース
二次情報源
一次情報源
著者リスト
免責事項
・GaN-On-SiCデバイスの世界市場タイプ別価値比較（2024年-2030年）
・GaN-On-SiCデバイスの世界市場規模比較：用途別（2024年-2030年）
・2023年のGaN-On-SiCデバイスの世界市場メーカー別競争状況
・グローバル主要メーカーのGaN-On-SiCデバイスの売上（2019年-2024年）
・グローバル主要メーカー別GaN-On-SiCデバイスの売上シェア（2019年-2024年）
・世界のメーカー別GaN-On-SiCデバイス売上（2019年-2024年）
・世界のメーカー別GaN-On-SiCデバイス売上シェア（2019年-2024年）
・GaN-On-SiCデバイスの世界主要メーカーの平均価格（2019年-2024年）
・GaN-On-SiCデバイスの世界主要メーカーの業界ランキング、2022年 VS 2023年 VS 2024年
・グローバル主要メーカーの市場集中率（CR5とHHI）
・企業タイプ別世界のGaN-On-SiCデバイス市場（ティア1、ティア2、ティア3）
・地域別GaN-On-SiCデバイスの市場規模：2019年 VS 2023年 VS 2030年
・地域別GaN-On-SiCデバイスの販売量（2019年-2024年）
・地域別GaN-On-SiCデバイスの販売量シェア（2019年-2024年）
・地域別GaN-On-SiCデバイスの販売量（2025年-2030年）
・地域別GaN-On-SiCデバイスの販売量シェア（2025年-2030年）
・地域別GaN-On-SiCデバイスの売上（2019年-2024年）
・地域別GaN-On-SiCデバイスの売上シェア（2019年-2024年）
・地域別GaN-On-SiCデバイスの売上（2025年-2030年）
・地域別GaN-On-SiCデバイスの売上シェア（2025-2030年）
・北米の国別GaN-On-SiCデバイス収益：2019年 VS 2023年 VS 2030年
・北米の国別GaN-On-SiCデバイス販売量（2019年-2024年）
・北米の国別GaN-On-SiCデバイス販売量シェア（2019年-2024年）
・北米の国別GaN-On-SiCデバイス販売量（2025年-2030年）
・北米の国別GaN-On-SiCデバイス販売量シェア（2025-2030年）
・北米の国別GaN-On-SiCデバイス売上（2019年-2024年）
・北米の国別GaN-On-SiCデバイス売上シェア（2019年-2024年）
・北米の国別GaN-On-SiCデバイス売上（2025年-2030年）
・北米の国別GaN-On-SiCデバイスの売上シェア（2025-2030年）
・欧州の国別GaN-On-SiCデバイス収益：2019年 VS 2023年 VS 2030年
・欧州の国別GaN-On-SiCデバイス販売量（2019年-2024年）
・欧州の国別GaN-On-SiCデバイス販売量シェア（2019年-2024年）
・欧州の国別GaN-On-SiCデバイス販売量（2025年-2030年）
・欧州の国別GaN-On-SiCデバイス販売量シェア（2025-2030年）
・欧州の国別GaN-On-SiCデバイス売上（2019年-2024年）
・欧州の国別GaN-On-SiCデバイス売上シェア（2019年-2024年）
・欧州の国別GaN-On-SiCデバイス売上（2025年-2030年）
・欧州の国別GaN-On-SiCデバイスの売上シェア（2025-2030年）
・アジア太平洋の国別GaN-On-SiCデバイス収益：2019年 VS 2023年 VS 2030年
・アジア太平洋の国別GaN-On-SiCデバイス販売量（2019年-2024年）
・アジア太平洋の国別GaN-On-SiCデバイス販売量シェア（2019年-2024年）
・アジア太平洋の国別GaN-On-SiCデバイス販売量（2025年-2030年）
・アジア太平洋の国別GaN-On-SiCデバイス販売量シェア（2025-2030年）
・アジア太平洋の国別GaN-On-SiCデバイス売上（2019年-2024年）
・アジア太平洋の国別GaN-On-SiCデバイス売上シェア（2019年-2024年）
・アジア太平洋の国別GaN-On-SiCデバイス売上（2025年-2030年）
・アジア太平洋の国別GaN-On-SiCデバイスの売上シェア（2025-2030年）
・中南米の国別GaN-On-SiCデバイス収益：2019年 VS 2023年 VS 2030年
・中南米の国別GaN-On-SiCデバイス販売量（2019年-2024年）
・中南米の国別GaN-On-SiCデバイス販売量シェア（2019年-2024年）
・中南米の国別GaN-On-SiCデバイス販売量（2025年-2030年）
・中南米の国別GaN-On-SiCデバイス販売量シェア（2025-2030年）
・中南米の国別GaN-On-SiCデバイス売上（2019年-2024年）
・中南米の国別GaN-On-SiCデバイス売上シェア（2019年-2024年）
・中南米の国別GaN-On-SiCデバイス売上（2025年-2030年）
・中南米の国別GaN-On-SiCデバイスの売上シェア（2025-2030年）
・中東・アフリカの国別GaN-On-SiCデバイス収益：2019年 VS 2023年 VS 2030年
・中東・アフリカの国別GaN-On-SiCデバイス販売量（2019年-2024年）
・中東・アフリカの国別GaN-On-SiCデバイス販売量シェア（2019年-2024年）
・中東・アフリカの国別GaN-On-SiCデバイス販売量（2025年-2030年）
・中東・アフリカの国別GaN-On-SiCデバイス販売量シェア（2025-2030年）
・中東・アフリカの国別GaN-On-SiCデバイス売上（2019年-2024年）
・中東・アフリカの国別GaN-On-SiCデバイス売上シェア（2019年-2024年）
・中東・アフリカの国別GaN-On-SiCデバイス売上（2025年-2030年）
・中東・アフリカの国別GaN-On-SiCデバイスの売上シェア（2025-2030年）
・世界のタイプ別GaN-On-SiCデバイスの販売量（2019年-2024年）
・世界のタイプ別GaN-On-SiCデバイスの販売量（2025-2030年）
・世界のタイプ別GaN-On-SiCデバイスの販売量シェア（2019年-2024年）
・世界のタイプ別GaN-On-SiCデバイスの販売量シェア（2025年-2030年）
・世界のタイプ別GaN-On-SiCデバイスの売上（2019年-2024年）
・世界のタイプ別GaN-On-SiCデバイスの売上（2025-2030年）
・世界のタイプ別GaN-On-SiCデバイスの売上シェア（2019年-2024年）
・世界のタイプ別GaN-On-SiCデバイスの売上シェア（2025年-2030年）
・世界のタイプ別GaN-On-SiCデバイスの価格（2019年-2024年）
・世界のタイプ別GaN-On-SiCデバイスの価格（2025-2030年）
・世界の用途別GaN-On-SiCデバイスの販売量（2019年-2024年）
・世界の用途別GaN-On-SiCデバイスの販売量（2025-2030年）
・世界の用途別GaN-On-SiCデバイスの販売量シェア（2019年-2024年）
・世界の用途別GaN-On-SiCデバイスの販売量シェア（2025年-2030年）
・世界の用途別GaN-On-SiCデバイスの売上（2019年-2024年）
・世界の用途別GaN-On-SiCデバイスの売上（2025-2030年）
・世界の用途別GaN-On-SiCデバイスの売上シェア（2019年-2024年）
・世界の用途別GaN-On-SiCデバイスの売上シェア（2025年-2030年）
・世界の用途別GaN-On-SiCデバイスの価格（2019年-2024年）
・世界の用途別GaN-On-SiCデバイスの価格（2025-2030年）
・原材料の主要サプライヤーリスト
・GaN-On-SiCデバイスの販売業者リスト
・GaN-On-SiCデバイスの需要先リスト
・GaN-On-SiCデバイスの市場動向
・GaN-On-SiCデバイス市場の促進要因
・GaN-On-SiCデバイス市場の課題
・GaN-On-SiCデバイス市場の抑制要因
・本レポートの調査プログラム／設計
・二次情報源からの主要データ情報
・一次情報源からの主要データ情報
・本報告書の著者リスト
| 【GaN-On-SiCデバイスについて】 GaN-On-SiCデバイスは、次世代の高効率な電子デバイスとして注目されています。これらのデバイスは、主に電力変換、無線通信、そして高周波アプリケーションの分野で広く使用されています。その構造と特性から、GaNオンSiCデバイスは、多くの使用ケースにおいて優れた性能を発揮します。 GaN（ガリウムナイトライド）は、III-V族化合物半導体であり、高い電子移動度や広いバンドギャップを持つため、高温、高電圧、高周波での動作に適しています。これに対し、SiC（シリコンカーバイド）も同様に広いバンドギャップを持ち、熱的特性が優れているため、高温環境での耐久性が求められるアプリケーション向けに理想的です。GaNとSiCを組み合わせることで、両者の利点を活かした新しいデバイスが誕生しました。 GaN-On-SiCデバイスの最大の特徴は、高い変換効率と小型化を実現できる点です。これにより、電力損失を抑制し、放熱の問題を軽減することができます。これらのデバイスは特に、高周波数で動作する際の性能が優れており、RF（無線周波数）アプリケーションや電力 amplifiers、モバイル通信インフラ、衛星通信、さらにはレーダーシステムなど、さまざまな用途に最適です。 GaN-On-SiCデバイスは、その製造プロセスにおいても特有の技術が用いられます。一般的に、GaNはSiC基板の上にエピタキシャル成長されます。このプロセスにおいて、GaN層の品質がデバイス全体の性能に大きく影響します。高品質なGaN層を実現するためには、適切な成長メソッドや条件を選ぶ必要があり、これにはMOVPE（Metal Organic Vapor Phase Epitaxy）やMOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）などの技術が利用されることが一般的です。 GaN-On-SiCデバイスにはいくつかの種類があり、その中にはトランジスタ（HEMT：High Electron Mobility Transistor）、ダイオード、電力アンプなどがあります。特にHEMTは、高速スイッチングが可能なため、電力変換やRFアプリケーションでの使用が増えています。また、ダイオード型デバイスも高速動作や効率的な電力スイッチングが求められる場面で重要な役割を果たしています。 用途としては、まず電力変換分野が挙げられます。GaN-On-SiCデバイスは、高効率の電力供給が求められる先進的な電力変換システムに利用されています。これにより、エネルギー効率を向上させることができ、デバイスの小型化・軽量化も実現可能です。また、トータルでのコスト削減にも寄与するため、産業界でも需要が高まっています。 無線通信の分野においては、5G通信や次世代の無線システムにおいて、高出力と高効率を実現するためにGaN-On-SiCデバイスが広く採用されています。特に、高周波数帯での性能向上が求められるため、GaN技術が重要な要素となっています。さらに、レーダー技術や衛星通信システムでも、ガリウムナイトライド技術の採用が進んでいます。 GaN-On-SiCデバイスに関する研究も盛んに行われており、新しい技術や材料の開発が進み、その性能改善が図られています。これにより、より高効率で高性能なデバイスが市場に登場する可能性が高まっています。たとえば、新たなエピタキシャル成長技術や、デバイス構造の最適化などがその一例です。 さらに、GaN-On-SiCデバイスの将来的な展望も非常に明るいとされています。世界的なエネルギー効率の向上が求められる中、この技術はクリーンエネルギーや持続可能な電力インフラを支えるための鍵となるでしょう。特に、電気自動車や再生可能エネルギーの普及が進む中で、GaN-On-SiCデバイスは重要な役割を果たすことが期待されています。 最後に、GaN-On-SiCデバイスはその特性と多様な用途から、今後ますます重要性を増すと考えられています。高効率、省エネルギー、コンパクト設計など、現代の技術的ニーズに応じたデバイスとして、今後の研究開発が注目されるでしょう。 |