 | • レポートコード：MRCLC5DC02513 • 出版社/出版日：Lucintel / 2025年3月 • レポート形態：英文、PDF、約150ページ • 納品方法：Eメール（ご注文後2-3営業日） • 産業分類：半導体・電子 |
| Single User | ￥746,900 (USD4,850) | ▷ お問い合わせ |
| Five User | ￥1,031,800 (USD6,700) | ▷ お問い合わせ |
| Corporate User | ￥1,362,900 (USD8,850) | ▷ お問い合わせ |
• お支払方法：銀行振込（納品後、ご請求書送付）
レポート概要
| 主要データポイント：2031年の市場規模＝191億ドル、今後7年間の年間成長予測＝7.6％。 詳細情報は以下をご覧ください。本市場レポートは、2031年までの世界のGaAs電子デバイス市場における動向、機会、予測を、タイプ別（LEC成長GaAsデバイスとVGF成長GaAsデバイス）、用途別（モバイルデバイス、無線通信、その他）、地域別（北米、欧州、アジア太平洋、その他地域）に網羅しています。 |
GaAs電子デバイスの動向と予測
世界のGaAs電子デバイス市場は、モバイルデバイスおよび無線通信市場における機会を背景に、将来性が期待されています。世界のGaAs電子デバイス市場は、2025年から2031年にかけて年平均成長率（CAGR）7.6％で拡大し、2031年までに推定191億ドルに達すると予測されています。 この市場の主な推進要因は、スマートフォン利用の増加、一般照明における発光ダイオード（LED）の普及拡大、IoTの導入、そして高周波通信機器に使用されるGaAsベース集積回路の需要拡大である。
• Lucintelの予測によると、タイプ別カテゴリーでは、LEC成長GaAsデバイスが予測期間中に高い成長率を示す見込み。
• 用途別では、無線通信分野が引き続き最大のセグメントとなる見込み。GaAsデバイスは信号増幅のための高周波用途に採用されているため。
• 地域別では、アジア太平洋地域（APAC）が予測期間中に最も高い成長率を示すと予想される。同地域、特に中国・日本・韓国における電子産業の成長に伴うGaAsデバイス需要の高まりが要因。
150ページ以上の包括的レポートで、ビジネス判断に役立つ貴重な知見を獲得してください。
GaAs電子デバイス市場における新興トレンド
GaAs電子デバイス市場は、技術進歩と業界需要の変化に牽引され急速に進化しています。新興トレンドは、高性能化・高効率化への幅広い推進と新技術との統合を反映しています。これらのトレンドはデバイス設計・製造プロセス・応用分野に影響を与え、市場を再構築中です。これらの動向を理解することは、GaAs技術の将来方向性と各分野への影響を洞察する鍵となります。
• 5Gおよび次世代技術との統合：GaAsデバイスは、5Gネットワークの展開や将来の6G技術においてますます不可欠な存在となっています。その高周波特性とマイクロ波信号処理効率の高さは、これらの用途に理想的です。通信会社やネットワークプロバイダーがより高度なインフラを導入するにつれ、増幅器やフィルタなどのGaAs部品の需要が急増しています。このトレンドは、次世代通信システムの性能要件を満たすためのデバイス設計と製造の革新を推進しています。
• 製造技術の進歩：新たな製造技術により、GaAsデバイスの品質とコスト効率が向上している。分子線エピタキシー（MBE）や金属有機化学気相成長（MOCVD）などの技術が改良され、材料の純度とデバイス性能が向上している。これらの進歩により製造コストが削減され、より複雑で信頼性の高いGaAs部品の製造が可能となっている。 製造プロセスの進化に伴い、GaAsデバイスは民生用電子機器から航空宇宙分野まで、幅広い用途で利用しやすくなっている。
• 自動車用途への拡大：GaAs技術は自動車用途、特に先進運転支援システム（ADAS）や自動運転車において採用が進んでいる。GaAsベースのレーダーセンサーや通信システムは、車両の安全性やナビゲーションの向上に不可欠である。GaAsの高周波特性は、正確な距離測定やリアルタイムデータ処理に適している。 この傾向は自動車エレクトロニクスの革新を促進し、GaAsデバイスの車両システムへの統合を加速させている。
• 衛星・宇宙用途での成長：GaAsデバイスは高周波・高電力環境下での優れた性能により、衛星・宇宙用途での利用が拡大している。GaAs部品は信号増幅や処理を含む衛星通信システムにおいて不可欠である。宇宙探査や衛星展開の増加に伴い、信頼性の高い高性能GaAsデバイスへの需要が高まっている。 この傾向は、宇宙アプリケーションの厳しい要求を満たすGaAs技術の進歩を促進している。
• ハイブリッド技術の台頭：GaAsと他の半導体材料を組み合わせたハイブリッド技術が注目を集めている。これらのハイブリッドデバイスは、GaAsの高電子移動度といった強みを他の材料と組み合わせて総合性能を向上させる。例えば、GaAsをシリコンやシリコンゲルマニウムと統合することで、電子デバイスや光電子デバイスの効率と機能性を改善できる。 この傾向はデバイス設計の革新を促進し、GaAs技術の応用可能性を拡大している。
これらの新興トレンドはGaAs電子デバイス市場を大きく再構築している。5Gおよびそれ以降の技術との統合、製造技術の進歩、自動車・衛星応用分野への拡大、ハイブリッド技術の開発がイノベーションを推進し新たな機会を創出している。これらのトレンドが進化を続ける中、GaAsデバイスの性能・汎用性・コスト競争力が向上し、将来の技術環境における役割を形作っている。
GaAs電子デバイス市場の最近の動向
GaAs電子デバイス市場は、技術進歩、高性能部品への需要増加、主要業界プレイヤーによる戦略的投資によって駆動されるダイナミックな状況を示している。これらの動向は、通信から自動車、宇宙探査に至るまで、様々な分野におけるGaAs技術の応用方法に影響を与えている。市場を形成する5つの主要な動向を見てみよう。
• GaAs製造技術の進歩：分子線エピタキシー（MBE）や金属有機化学気相成長（MOCVD）の改良など、GaAs製造技術の最近の進歩は、材料品質とデバイス性能を大幅に向上させました。これらの革新は生産コストを削減し、GaAsデバイスの信頼性を高めています。 製造プロセスの高度化により、より複雑で高性能な部品の開発が可能となり、5Gや高周波通信などの応用分野での成長を促進している。
• 5Gおよび6G応用分野の成長：5Gネットワークの展開は、特に基地局、増幅器、フィルタにおけるGaAsデバイスの需要増加を促している。GaAs技術の高周波性能は、5Gインフラの厳しい要件を満たす上で不可欠である。 企業は6G以降の通信技術を見据え、GaAs部品の最適化に向けた研究開発に投資し、無線通信技術の将来的な進展を捉える体制を整えている。
• 自動車電子機器におけるGaAsの拡大：レーダーセンサーや先進運転支援システム（ADAS）向け通信システムへの応用を背景に、GaAs技術は自動車電子機器分野で採用が拡大している。次世代車両安全システムや自動運転技術へのGaAsデバイス統合が最近の進展である。 この拡大は現代車両の性能と安全機能を強化し、自動車エレクトロニクスの革新を推進している。
• 衛星・宇宙応用への注目の高まり：衛星通信や宇宙探査を支える高周波・高出力GaAs部品の進歩に伴い、衛星・宇宙応用におけるGaAsデバイスの利用が増加している。最近の動向には、宇宙の過酷な環境に耐えるよう設計されたGaAs材料・デバイスの改良が含まれる。この傾向は、重要な宇宙ミッションや衛星システムにおけるGaAs技術の役割を拡大している。
• ハイブリッド半導体技術の台頭：GaAsとシリコンやシリコンゲルマニウムなどの他材料を組み合わせたハイブリッド半導体技術が注目を集めている。これらのハイブリッドデバイスは、高い電子移動度などGaAsの強みを活用しつつ、相補的な材料の統合により性能を向上させる。この分野における最近の開発は、民生用電子機器から産業用システムに至る幅広い応用分野でGaAs技術に新たな機会を創出している。
これらの近年の進展は、GaAs電子デバイス市場の継続的な進化を浮き彫りにしている。製造技術の進歩、5G・自動車用途の成長、宇宙技術への展開、ハイブリッド半導体ソリューションの台頭がイノベーションを推進し、GaAs技術の未来を形作っている。こうしたトレンドが展開されるにつれ、GaAsデバイスの設計・製造・産業横断的な応用方法に影響を与えている。
GaAs電子デバイス市場の戦略的成長機会
GaAs電子デバイス市場は、技術の進歩と高性能部品への需要増加に牽引され、様々な応用分野で著しい成長を遂げている。通信、自動車エレクトロニクス、衛星システム、防衛、民生用電子機器といった主要応用分野は、GaAs技術にとって大きな成長機会を提供する。これらの機会は、高周波・高電力環境におけるGaAsの汎用性と優れた性能を反映している。 以下に、GaAs電子デバイス市場における5つの主要な成長機会を、その潜在的な影響と戦略的重要性に焦点を当てて紹介する。
• 電気通信（5Gおよびそれ以降）：5Gネットワークの展開と6G技術の開発は、GaAsデバイスにとって大きな成長機会をもたらす。 GaAsの高周波特性は、次世代ネットワークにおける増大するデータトラフィックと信号処理要件を管理するために不可欠な基地局、増幅器、フィルタへの使用に理想的です。通信インフラが進化するにつれ、ネットワーク性能、信頼性、速度を向上させる高度なGaAs部品への需要が高まっており、GaAsは無線通信の未来における重要な技術として位置付けられています。
• 自動車電子機器（ADASおよび自動運転車）： GaAs技術は自動車電子機器、特に先進運転支援システム（ADAS）や自動運転車への統合が進んでいる。GaAsベースのレーダーセンサーや通信システムは、車両の安全性、ナビゲーション、リアルタイムデータ処理の向上に不可欠である。ADASの普及拡大と自動運転推進の動きは、複雑で過酷な自動車環境下で信頼性高く動作する高性能GaAs部品の需要を牽引し、この分野に大きな成長機会をもたらしている。
• 衛星・宇宙応用：衛星通信および宇宙探査分野は急速に拡大しており、GaAsデバイスにとって大きな成長機会を生み出しています。GaAs部品は、高周波数・高電力レベルを処理できる特性から、信号増幅や処理を含む衛星通信システムに採用されています。宇宙ミッションや衛星展開の増加に伴い、信頼性の高い高性能GaAsデバイスの需要が高まっています。この傾向は、宇宙応用や衛星通信の厳しい要求を満たすためのGaAs技術への革新と投資を促進しています。
• 防衛・航空宇宙：高周波・高電力性能が不可欠な防衛・航空宇宙分野において、GaAs技術は重要な役割を担う。レーダーシステム、電子戦、通信システムなど、卓越した性能と信頼性が要求される分野でGaAsデバイスが採用されている。先進防衛システムや宇宙探査への注力強化に伴い、過酷な環境下でも効果的に動作するGaAs部品の需要が高まっている。これは防衛・航空宇宙分野におけるGaAs技術の戦略的成長機会となる。
• 民生用電子機器（スマートフォン・ウェアラブル機器）：民生用電子機器市場、特にスマートフォンやウェアラブル機器は、GaAs技術に大きな成長機会を提供している。GaAs部品は、民生機器の性能と機能性を高めるRFモジュール、パワーアンプ、センサーに使用される。民生用電子機器における先進機能や高速接続への需要が継続的に高まる中、現代のスマートフォン、ウェアラブル機器、その他の接続機器に必要な性能を実現する上で、GaAs技術の重要性はますます増している。
GaAs電子デバイス市場の戦略的成長機会は多様かつ影響力がある。通信・自動車エレクトロニクスから衛星システム、防衛、民生用電子機器に至るまで、GaAs技術はこれらの重要アプリケーションを推進する上で重要な役割を担う立場にある。これらの分野が進化を続ける中、高性能GaAs部品の需要は拡大し、GaAs市場におけるイノベーションと投資を促進し、その将来の軌道を形作るものと予想される。
GaAs電子デバイス市場の推進要因と課題
GaAs電子デバイス市場は、成長を促進し課題をもたらす様々な技術的、経済的、規制的要因の影響を受けています。主な推進要因には、技術進歩、高性能部品への需要増加、研究開発への投資が含まれます。一方、製造コストの高さ、サプライチェーンの問題、規制上の障壁といった課題が市場動向に影響を与える可能性があります。これらの推進要因と課題を理解することは、GaAs市場をナビゲートしその可能性を活用するために不可欠です。
GaAs電子デバイス市場を牽引する要因は以下の通り：
• 技術革新：分子線エピタキシー（MBE）や金属有機化学気相成長法（MOCVD）の改良など、GaAs製造技術の進歩がデバイス成長を促進。これらの革新により材料純度、デバイス性能、生産効率が向上し、GaAs部品の競争力と普及が加速。 より高度で信頼性の高いGaAsデバイスの開発能力は、5G、自動車用電子機器、衛星システムなどの新興アプリケーションへの採用を支え、市場拡大を促進している。
• 高速通信需要の拡大：特に5Gネットワークの展開に伴い、高速・高周波通信への需要増加がGaAs市場の主要な推進力となっている。 増幅器やフィルタなどのGaAsデバイスは、現代通信システムにおける高データトラフィックと信号処理のニーズを管理する上で不可欠である。通信インフラが進化し、より高速で信頼性の高いネットワークの必要性が高まるにつれ、GaAs部品の需要は増加し、市場成長を牽引すると予想される。
• 自動車・航空宇宙分野での応用拡大：自動車および航空宇宙分野での応用拡大は、GaAs技術にとって大きな成長機会をもたらす。自動車エレクトロニクスではレーダーセンサーやADASにGaAsデバイスが使用され、航空宇宙分野ではレーダーや通信システムに不可欠である。先進安全機能、自動運転、宇宙探査への注目の高まりが、高性能GaAs部品の需要を牽引し、市場の成長と革新に貢献している。
• 研究開発への投資：研究開発（R&D）への継続的な投資は、GaAs電子デバイス市場の主要な推進要因である。企業や研究機関は、GaAs技術の向上に向け、新素材、製造技術、応用分野への投資を進めている。このR&Dへの注力は、デバイス性能の向上、コスト削減、新たな応用分野の開拓につながり、GaAsデバイスの成長を促進し市場の可能性を拡大している。
• 民生用電子機器の普及拡大：スマートフォン、ウェアラブル機器、IoTデバイスなどの民生用電子機器の普及拡大がGaAs部品の需要を牽引しています。GaAs技術は、デバイス性能と機能性を向上させるRFモジュール、パワーアンプ、センサーなどに採用されています。民生用電子機器が高度な機能と接続性を備えて進化し続けるにつれ、高性能GaAsデバイスへの需要が増加し、市場成長に寄与しています。
GaAs電子デバイス市場における課題は以下の通りです：
• 高い製造コスト：GaAsデバイスの製造コストの高さが大きな課題となっています。GaAs製造プロセスの複雑さと原材料コストが、他の半導体技術と比較してGaAs部品の価格上昇要因となっています。これらのコストは、特に価格に敏感な市場においてGaAsデバイスの手頃さと競争力に影響を与え、普及を制限する可能性があります。
• サプライチェーン問題：原材料や製造装置の入手可能性の変動を含むサプライチェーン問題は、GaAs電子デバイス市場に影響を及ぼす可能性があります。サプライチェーンの混乱は、生産遅延、コスト増加、GaAs部品の不足を招く恐れがあります。これらのサプライチェーン課題に対処することは、市場成長の持続とGaAsデバイスの確実な供給を確保するために極めて重要です。
• 規制・環境上の懸念：GaAs材料の使用に関連する規制や環境上の懸念が市場課題となる可能性がある。GaAsベースのデバイスに対する環境規制や廃棄物処理要件への準拠は、製造プロセスに複雑性とコストを追加する。さらに、規制の進化はGaAs技術の開発と採用に影響を与え、メーカーは変化する基準や慣行に適応する必要が生じる。
GaAs電子デバイス市場は、その成長と発展に影響を与える推進要因と課題の組み合わせによって形成されています。技術進歩、高速通信への需要増加、自動車・航空宇宙分野への応用拡大が市場成長を牽引する一方、高い製造コスト、サプライチェーン問題、規制上の懸念が課題となっています。これらの課題に対処しつつ市場推進要因を活用することが、GaAs市場をナビゲートし、その革新と拡大の可能性を最大限に活用する上で重要となります。
GaAs電子デバイス企業一覧
市場参入企業は提供する製品品質を競争基盤としている。主要プレイヤーは製造施設の拡張、研究開発投資、インフラ整備に注力し、バリューチェーン全体での統合機会を活用している。こうした戦略を通じてGaAs電子デバイス企業は需要増に対応し、競争優位性を確保、革新的な製品・技術を開発、生産コストを削減、顧客基盤を拡大している。本レポートで取り上げるGaAs電子デバイス企業の一部は以下の通り：
• M/A-COM Technology Solutions
• Hittite Microwave
• Qorvo
• Advanced Wireless Semiconductor
• Murata Manufacturing
• Avago Technologies
• Skyworks Solutions
• RF Micro Devices
• Renesas Electronics
• TriQuint Semiconductor
セグメント別GaAs電子デバイス
本調査では、タイプ別、用途別、地域別のグローバルGaAs電子デバイス市場予測を包含する。
GaAs電子デバイス市場：タイプ別 [2019年～2031年の価値分析]：
• LEC法成長GaAsデバイス
• VGF法成長GaAsデバイス
GaAs電子デバイス市場：用途別 [2019年～2031年の価値分析]：
• モバイルデバイス
• 無線通信
• その他
GaAs電子デバイス市場：地域別 [2019年から2031年までの価値分析]：
• 北米
• 欧州
• アジア太平洋
• その他の地域
GaAs電子デバイス市場の国別展望
ガリウムヒ素（GaAs）電子デバイスは、米国、中国、ドイツ、インド、日本を含む主要市場で著しい進歩を遂げています。 これらの進展は、高速・高周波アプリケーションへの需要増加に牽引された技術革新の広範な潮流を反映している。この進歩は、通信システム、民生用電子機器、防衛技術におけるGaAsデバイスの活用方法を形作っている。主要市場ごとの最近の動向を詳しく見ていこう。
• 米国：米国では半導体製造技術における大きな進歩により、GaAs技術で著しい進展が見られた。 インテルやレイセオンなどの企業は、5Gインフラや軍事電子機器向けアプリケーションにGaAsを投入している。先進的な製造プロセスと材料革新を通じて、デバイス性能の向上とコスト削減に注力している。
• 中国：中国は、通信機器や民生用電子機器向け高性能部品の需要に後押しされ、GaAs生産能力を急速に拡大している。スカイワークスやSMICなどの中国企業は、GaAsウエハーとデバイスの生産拡大と品質向上に注力している。 重点は、外国技術への依存度低減と、5Gおよび将来の6Gネットワークに不可欠なGaAs材料の純度・デバイス信頼性における技術的ブレークスルーの達成にある。
• ドイツ：ドイツのGaAs市場は、自動車・産業用途における技術革新が特徴である。インフィニオン・テクノロジーズなどのドイツ企業は、GaAsデバイスを自動車用レーダーシステムや高度センサーへの統合を進めている。過酷な環境下での性能向上と、自動車安全システムにおける高精度実現に注力している。
• インド：インドは電子機器・通信産業の成長を原動力に、GaAs市場における重要なプレイヤーとして台頭している。インド企業はモバイル・衛星通信向けデバイス性能向上のためGaAs研究に投資。政府主導の施策とグローバル技術企業との提携により、国内外市場向けGaAsソリューション開発が加速。接続性強化とデジタル経済支援を目的としたGaAs技術活用に注力。
• 日本：日本はGaAs技術におけるリーダーであり、富士通や三菱電機などの企業が、高周波・高電力アプリケーションの限界に挑戦し続けている。同国は、5Gや衛星通信を含む次世代通信システム向けGaAsデバイスの開発を進めている。
世界のGaAs電子デバイス市場の特徴
市場規模推定：GaAs電子デバイス市場の規模を金額ベース（$B）で推定。
動向と予測分析：市場動向（2019年～2024年）および予測（2025年～2031年）をセグメント別・地域別に分析。
セグメント分析：GaAs電子デバイスの市場規模をタイプ別、用途別、地域別に金額ベース（$B）で分析。
地域分析：GaAs電子デバイス市場を北米、欧州、アジア太平洋、その他地域に分類して分析。
成長機会：GaAs電子デバイス市場における異なるタイプ、用途、地域別の成長機会分析。
戦略分析：GaAs電子デバイス市場におけるM&A、新製品開発、競争環境を含む。
ポーターの5つの力モデルに基づく業界競争激化度分析。
本市場または隣接市場での事業拡大をご検討中の方は、当社までお問い合わせください。市場参入、機会スクリーニング、デューデリジェンス、サプライチェーン分析、M&Aなど、数百件の戦略コンサルティングプロジェクト実績がございます。
本レポートは以下の11の主要な疑問に答えます：
Q.1. GaAs電子デバイス市場において、タイプ別（LEC成長GaAsデバイスとVGF成長GaAsデバイス）、用途別（モバイルデバイス、無線通信、その他）、地域別（北米、欧州、アジア太平洋、その他地域）で、最も有望で高成長が見込まれる機会は何か？
Q.2. どのセグメントがより速いペースで成長し、その理由は？
Q.3. どの地域がより速いペースで成長し、その理由は？
Q.4. 市場動向に影響を与える主な要因は何か？この市場における主要な課題とビジネスリスクは何か？
Q.5. この市場におけるビジネスリスクと競争上の脅威は何か？
Q.6. この市場における新たなトレンドとその背景にある理由は何か？
Q.7. 市場における顧客の需要変化にはどのようなものがあるか？
Q.8. 市場における新たな展開は何か？これらの展開を主導している企業は？
Q.9. この市場の主要プレイヤーは誰か？主要プレイヤーは事業成長のためにどのような戦略的取り組みを推進しているか？
Q.10. この市場における競合製品にはどのようなものがあり、それらが材料や製品の代替による市場シェア喪失にどの程度の脅威をもたらしているか？
Q.11. 過去5年間にどのようなM&A活動が発生し、業界にどのような影響を与えたか？
目次
1. エグゼクティブサマリー
2. グローバルGaAs電子デバイス市場：市場動向
2.1: 概要、背景、分類
2.2: サプライチェーン
2.3: 業界の推進要因と課題
3. 2019年から2031年までの市場動向と予測分析
3.1. マクロ経済動向（2019-2024年）と予測（2025-2031年）
3.2. グローバルGaAs電子デバイス市場の動向（2019-2024年）と予測（2025-2031年）
3.3: タイプ別グローバルGaAs電子デバイス市場
3.3.1: LEC法成長GaAsデバイス
3.3.2: VGF法成長GaAsデバイス
3.4: 用途別グローバルGaAs電子デバイス市場
3.4.1: モバイルデバイス
3.4.2: 無線通信
3.4.3: その他
4. 2019年から2031年までの地域別市場動向と予測分析
4.1: 地域別グローバルGaAs電子デバイス市場
4.2: 北米GaAs電子デバイス市場
4.2.1: 北米のタイプ別: LEC法成長GaAsデバイスおよびVGF法成長GaAsデバイス
4.2.2: 北米 用途別: モバイルデバイス、無線通信、その他
4.3: 欧州 GaAs 電子デバイス市場
4.3.1: 欧州 種類別: LEC法成長GaAsデバイスおよびVGF法成長GaAsデバイス
4.3.2: 欧州 用途別: モバイルデバイス、無線通信、その他
4.4: アジア太平洋地域 GaAs電子デバイス市場
4.4.1: アジア太平洋地域 種類別: LEC法成長GaAsデバイスおよびVGF法成長GaAsデバイス
4.4.2: アジア太平洋地域 用途別: モバイルデバイス、無線通信、その他
4.5: その他の地域 GaAs電子デバイス市場
4.5.1: その他の地域（ROW）のタイプ別：LEC法成長GaAsデバイスとVGF法成長GaAsデバイス
4.5.2: その他の地域（ROW）の用途別：モバイルデバイス、無線通信、その他
5. 競合分析
5.1: 製品ポートフォリオ分析
5.2: 事業統合
5.3: ポーターの5つの力分析
6. 成長機会と戦略分析
6.1: 成長機会分析
6.1.1: タイプ別グローバルGaAs電子デバイス市場の成長機会
6.1.2: 用途別グローバルGaAs電子デバイス市場の成長機会
6.1.3: 地域別グローバルGaAs電子デバイス市場の成長機会
6.2: グローバルGaAs電子デバイス市場における新興トレンド
6.3: 戦略分析
6.3.1: 新製品開発
6.3.2: グローバルGaAs電子デバイス市場の生産能力拡大
6.3.3: グローバルGaAs電子デバイス市場における合併・買収・合弁事業
6.3.4: 認証とライセンス
7. 主要企業の企業プロファイル
7.1: M/A-COMテクノロジーソリューションズ
7.2: ヒッタイトマイクロウェーブ
7.3: コーボ
7.4: アドバンストワイヤレスセミコンダクター
7.5: 村田製作所
7.6: アバゴテクノロジーズ
7.7: スカイワークスソリューションズ
7.8: RFマイクロデバイス
7.9: ルネサスエレクトロニクス
7.10: トライクイントセミコンダクター
1. Executive Summary
2. Global GaAs Electronic Device Market : Market Dynamics
2.1: Introduction, Background, and Classifications
2.2: Supply Chain
2.3: Industry Drivers and Challenges
3. Market Trends and Forecast Analysis from 2019 to 2031
3.1. Macroeconomic Trends (2019-2024) and Forecast (2025-2031)
3.2. Global GaAs Electronic Device Market Trends (2019-2024) and Forecast (2025-2031)
3.3: Global GaAs Electronic Device Market by Type
3.3.1: LEC Grown GaAs Devices
3.3.2: VGF Grown GaAs Devices
3.4: Global GaAs Electronic Device Market by Application
3.4.1: Mobile Devices
3.4.2: Wireless Communications
3.4.3: Others
4. Market Trends and Forecast Analysis by Region from 2019 to 2031
4.1: Global GaAs Electronic Device Market by Region
4.2: North American GaAs Electronic Device Market
4.2.1: North American by Type: LEC Grown GaAs Devices and VGF Grown GaAs Devices
4.2.2: North American by Application: Mobile Devices, Wireless Communications, and Others
4.3: European GaAs Electronic Device Market
4.3.1: European by Type: LEC Grown GaAs Devices and VGF Grown GaAs Devices
4.3.2: European by Application: Mobile Devices, Wireless Communications, and Others
4.4: APAC GaAs Electronic Device Market
4.4.1: APAC by Type: LEC Grown GaAs Devices and VGF Grown GaAs Devices
4.4.2: APAC by Application: Mobile Devices, Wireless Communications, and Others
4.5: ROW GaAs Electronic Device Market
4.5.1: ROW by Type: LEC Grown GaAs Devices and VGF Grown GaAs Devices
4.5.2: ROW by Application: Mobile Devices, Wireless Communications, and Others
5. Competitor Analysis
5.1: Product Portfolio Analysis
5.2: Operational Integration
5.3: Porter’s Five Forces Analysis
6. Growth Opportunities and Strategic Analysis
6.1: Growth Opportunity Analysis
6.1.1: Growth Opportunities for the Global GaAs Electronic Device Market by Type
6.1.2: Growth Opportunities for the Global GaAs Electronic Device Market by Application
6.1.3: Growth Opportunities for the Global GaAs Electronic Device Market by Region
6.2: Emerging Trends in the Global GaAs Electronic Device Market
6.3: Strategic Analysis
6.3.1: New Product Development
6.3.2: Capacity Expansion of the Global GaAs Electronic Device Market
6.3.3: Mergers, Acquisitions, and Joint Ventures in the Global GaAs Electronic Device Market
6.3.4: Certification and Licensing
7. Company Profiles of Leading Players
7.1: M/A-COM Technology Solutions
7.2: Hittite Microwave
7.3: Qorvo
7.4: Advanced Wireless Semiconductor
7.5: Murata Manufacturing
7.6: Avago Technologies
7.7: Skyworks Solutions
7.8: RF Micro Devices
7.9: Renesas Electronics
7.10: TriQuint Semiconductor
| ※GaAs（ガリウム砒素）電子デバイスは、半導体材料として利用されるGaAsを使用したデバイスであり、特に高周波や高効率、高温環境下での特性に優れています。GaAsは、優れた電子移動度と光学特性を持つため、様々な用途で利用されています。この材料は、特に光通信や無線通信の分野で非常に重要です。GaAsを用いることによって、シリコンとは異なる特性を活かしたデバイスの開発が可能になります。 GaAs電子デバイスの種類には、主にトランジスタ、ダイオード、レーザー、および太陽電池が含まれます。トランジスタの一種であるHEMT（高電子移動度トランジスタ）は、特に高周波アプリケーションにおいて優れた性能を発揮し、携帯電話の基地局や衛星通信装置などで利用されています。また、レーザーダイオードは光通信において重要な役割を果たし、光ファイバー通信のコア技術の一つとなっています。GaAs製の太陽電池は、高効率でありながら軽量なため、宇宙空間での利用にも適しています。 GaAs電子デバイスの主な用途の一つは、通信機器です。特にモバイルデバイスや衛星通信、5Gネットワークなど、様々な無線通信技術での利用が進んでいます。また、高周波アプリケーション以外にも、GaAsはLED（発光ダイオード）やフォトダイオードなどの光学デバイスにも利用され、エネルギー効率が高く、長寿命が求められる製品での採用が増えています。さらに、GaAsを使用することで高い耐熱性を持つデバイスが作成できるため、航空宇宙や防衛分野での需要もあります。 GaAs電子デバイスの製造に関わる技術には、化学気相成長（CVD）や分子線エピタキシー（MBE）があり、これらの技術によって高品質なGaAs結晶を成長させることが可能です。このような製造技術の進歩により、GaAsデバイスのコストが低下し、商業的に競争力のある製品が開発されるようになりました。 GaAsデバイスの利点としては、高い耐圧性と高周波特性、そして優れた光学特性が挙げられます。電子移動度が高いため、デバイスのスイッチング速度が速く、これにより高頻度の動作が可能になります。この特性により、GaAsデバイスは特に無線通信や高精度な測定機器などでその性能を発揮します。 一方で、GaAsには欠点も存在します。シリコンに比べて製造コストが高く、また、GaAsは脆い性質があるため、取り扱いや加工が難しいとされます。しかし、科研費用や研究・開発の進展に伴い、これらのデメリットを克服する方法が模索されています。 これからのGaAs電子デバイスの展望としては、さらなる高効率化やコスト削減が期待されます。また、次世代の通信技術やエネルギー変換技術においてその重要性が高まると考えられています。特に、5G通信や量子コンピュータの発展に伴って、高速処理が求められる環境での利用シーンが増えるでしょう。 これらの進展を踏まえて、GaAs電子デバイスはますます進化し、様々な分野での応用が広がると期待されており、その未来は非常に明るいものです。GaAsをベースとした技術は、今後の技術革新の一環として重要な役割を果たすことが予想されます。 |